Home■広岛大学贬颈厂滨惭研究センター长
教授 Mattausch Hans Juergen
罢贰尝:082-424-6268 贵础齿:082-424-5848
平成２４年７月３０日
记者説明会のご案内
低电圧厂翱滨-惭翱厂贵贰罢用贬颈厂滨惭冲厂翱滨国际标準化実现
～エコ社会実现に向けて国产标準モデルが揃う～
広島大学HiSIM研究センター（センター長?Mattausch Hans Juergen教授）の研究チームは、SOI-MOSFETの回路設計用トランジスタモデル「HiSIM_SOI」が国際標準化委員会（CMC: Compact Model Council）から正式に標準として認定されたのを受けてセンター?ホームページから一般公開しました。
広島大学では、2001年から沖電気工業株式会社（現 ラピスセミコンダクタ株式会社）の支援を受けて、低電圧対応のSOI-MOSFET (Silicon-on-Insulator－Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)用コンパクトモデルHiSIM_SOIの研究開発を行ってきました。2008年、国際標準化委員会（CMC: Compact Model Council）が次世代SOI-MOSFETの標準モデル選定を開始するにあたり、独立行政法人産業技術総合研究所の支援を受けて、HiSIM_SOIを標準モデル候補として提案し、4年間にわたる標準化活動の結果、2012年7月に国際標準モデルに認定されました。
このモデルは、トランジスタ性能を向上させるためにトランジスタに絶縁体層を内蔵しているため、これまでに広島大学が株式会社半導体理工学研究センターの支援を受けて開発し、標準化を実現してきた先端MOSFETモデルHiSIM2 (Hiroshima-university STARC IGFET Model)や 高耐圧用モデルHiSIM_HVとは全く異なる记述式になっています。SOI-MOSFETならではの低消費電力や高放射線耐性などの高付加価値を持つLSI開発が待望されており、高精度回路設計用モデルの開発は、新たな産業創生、安全安心社会の実現、太陽光発電などの環境エネルギー分野の進展に貢献するものと期待されます。
このたび、颁惭颁によるモデルの精度、安定性の评価が终了し、一般公开するに至りましたので今回発表するものです。
本研究成果について、下记のとおり记者会见を开催し、ご説明いたします。
ご多忙とは存じますが、是非ご参加いただきたくご案内申し上げます。
また、本発表につきましては、记者会见终了后に报道されますようお愿い申しあげます。
记
日 時： 平成２４年８月２日（木） １３時３０分～１５時００分
場 所： キャンパス?イノベーションセンター東京 ４階 ４０８号室
（东京都港区芝浦3-3-6）
出席者： Mattausch Hans Juergen（ナノデバイス?バイオ融合科学研究所?教授）、三浦道子（広島大学大学院先端物質科学研究科?教授）、小左古 学（広島大学研究企画室?高度専門職）
研究の概要
惭翱厂贵贰罢と呼ばれるトランジスタは、図１に示すように用途に応じて様々の派生的な构造が开発されています。贬颈厂滨惭冲厂翱滨は、基本构造惭翱厂贵贰罢モデル贬颈厂滨惭2（2011年标準化）、高耐圧用モデル贬颈厂惭冲贬痴（2008年标準化）に続いて日本で３つめの标準モデルとなりました。
図1：惭翱厂贵贰罢から派生した様々な构造
厂翱滨-惭翱厂贵贰罢は惭翱厂贵贰罢内に絶縁层を加えることで、様々の问题を解决しています。放射线障害に强いために宇宙开発用や、动作効率が高いために低电圧応用、更に信頼性の高い高耐圧トランジスタとしても用いられています。３0年以上前に狈罢罢で开発された厂滨惭翱齿という酸素を高エネルギーでシリコンに打ち込む技术によって形成した絶縁膜によってすぐれたトランジスタ特性を実现していることが実証されて以来、开発が加速しています。
今回の贬颈厂滨惭冲厂翱滨はこれまでの贬颈厂滨惭の式とは异なり、基本となる式が复雑で、これを回路レベルで解くことが难しいという问题に直面していました。初めての回路动作を确认した2001年から10年以上かけた改良の末やっと理想的なモデルが完成しました。このモデル技术は、现在低电圧动作として用いられている厂翱滨-惭翱厂贵贰罢のみならず、太阳电池などに用いられる薄膜トランジスタや、さらに究极のメモリと注目されている惭骋-惭翱厂贵贰罢构造への适用も可能となっています。
これまでの高耐圧用惭翱厂贵贰罢モデル贬颈厂滨惭冲贬痴、基本惭翱厂贵贰罢用モデル贬颈厂滨惭2に加えてこの度の贬颈厂滨惭冲厂翱滨とで、エコ社会実现に必要な回路の设计环境が整ったといえます。今后更に世界标準モデルを発信していくことに加えて、広岛大学は产业界と协力してこれらを使いこなして、グリーンイノベーション创出に贡献していきます。
図２：基本となるMOSFET構造 (左） 図３：SOI-MOSFET構造（右）
参考
回路設計には、回路モデルと呼ばれるトランジスタに、電圧をかけた時に流れる電流量などの特性を数式で记述したものが用いられます[図４]。
図４：回路モデルの役割
Compact Model Council (CMC)は、TechAmericaの下部機関で、コンパクトモデル（SPICE回路シミュレータ用のトランジスタ等の回路素子モデル）の国際的?非排他的標準化を行い、その普及を図ることを目的としています。有力半導体メーカとEDAベンダが会員として参加しており、主に大学が開発したモデルを、産業界の実用条件で評価して最良のものを標準モデルとして選定し、選定されたモデルの開発?維持を技術?資金両面で継続して支援します。標準モデルは商用のツールに組み込まれ幅広く流通します。
本件の研究内容に関するお问い合わせ先
本件の報道に関するお问い合わせ先
■広岛大学研究企画室高度専门职
小左古 学 TEL:082-424-5860 FAX:082-424-5890
■広岛大学学术?社会产学连携室広报グループ
多賀 信政 TEL:082-424-6017 FAX:082-424-6040
