| 広岛大学贬颈厂滨惭研究センター（センター长?叁浦道子教授）の研究チームは、滨骋叠罢の回路设计用トランジスタ用モデル「贬颈厂滨惭-滨骋叠罢」を、世界初の実用モデルとして开発し、车载用集积回路设计者などに向けて一般公开したことを、５月１０日（月）広岛大学歯学部大会议室で记者会见を行い、発表しました。 | |||||||||||||
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 记者会见の様子 |
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広島大学では、平成１７年からトヨタ自動車株式会社、株式会社豊田中央研究所と共同して一般車載用IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）の研究を行ってきました。IGBTは、２つのトランジスタタイプ、「バイポーラトランジスタ」と「MOSFET」を組み合わせた回 路モデルですが、共同研究チームは、この２つのトランジスタタイプを分けずにIGBT全体としてシミュレーションできるモデル式を導き出し、 「HiSIM-IGBT」を開発しました。 これは広島大学が開発したMOSFETモデルHiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）を骨格とし、バイポーラトランジスタ部分のモデルと統合したもので、高精度の回路設計が可能になり、エネルギー利用の高効率化が大きく前進す るものと期待されます。 研究の详细はこちら
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Home- 「世界初の実用モデル贬颈厂滨惭-滨骋叠罢が诞生」についての记者会见を行いました
