Home 広岛大学が产?官の协力を得て开発しているトランジスタモデル「HiSIM」が日本で３つめの国际标準を获得
８月２日（木）、広岛大学HiSIM研究センター（センター长?マタウシュ?ハンス ユルゲン教授）らの研究グループは、SOI-MOSFET（エス?オ?アイ－モスフェット）の回路设计用トランジスタモデル「贬颈厂滨惭冲厂翱滨」（ハイシム エス?オ?アイ）が、国际标準として认定されたことを、东京オフィスで记者発表会を开催し発表しました。
このモデルは、独立行政法人产业技术総合研究所の支援を受け、4年间にわたる标準化活动の结果、国际标準化委员会（CMC：Compact Model Council）による次世代SOI-MOSFETの标準モデルとして认定されました。
 记者会见の様子 |
研究成果を説明する叁浦教授とマタウシュ教授 |
SOI-MOSFETは、基本となるMOSFETというトランジスタを絶縁膜の上に作成するもので、高性能と同时に多様性を有し、冲电気の极低电圧时计用水晶発信回路、インテルのmicroprocessor、放射线障害に强いためJaxaの宇宙开発などに使われています。
低消费电力や高放射线耐性などの多様な付加価値を持つSOI-MOSFETモデルHiSIM-SOIの开発は、究极のモデルへの第一歩と位置付けられます。これにより、安全安心社会の実现、太阳光発电などの环境エネルギー分野の产业创生に贡献するものと期待されます。
これまですでに标準化となっている、高耐圧用MOSFETモデル「HiSIM_HV」と基本MOSFETモデル「HiSIM2」に今回の「HiSIM_SOI」を加えて、エコ社会実现に必要な回路设计环境が整ったと言えます。今后さらに世界标準モデルを発信していくことに加えて、広岛大学は世界の拠点としてグリーンイノベーション创出に贡献していきます。
记者会见时配布资料（458碍叠）
【お问い合わせ先】
（研究に関すること）
贬颈厂滨惭研究センター
マタウシュ?ハンス ユルゲン
罢别濒：082-424-7659
惭补颈濒：丑箩尘＊丑颈谤辞蝉丑颈尘补-耻.补肠.箩辫
（＊は半角＠に置き换えてください）
（记事に関すること）
広岛大学学术?社会产学连携室広报グループ
罢别濒：082-424-6017
贰-尘补颈濒：办辞丑辞＊辞蹿蹿颈肠别.丑颈谤辞蝉丑颈尘补-耻.补肠.箩辫
（＊は半角＠に置き换えてください）
